第二届中德电子与内存材料双边研讨会将于2018年9月5-7日在西安交通大学兴庆校区科学馆101举办。本次会议由西安交通大学及德国亚琛工业大学联合主办，由中德科学中心全程赞助，并得到bwin必赢、金属材料强度国家重点实验室、CAMPNANO、SFB917以及JARA-FIT的大力支持。会议免收注册费，并为注册的参会者提供午餐与茶歇，请感兴趣的参会者及时发邮件至campnano@xjtu.edu.cn进行注册。现场注册时间地点为9月4日14:00-20:00 交大南洋酒店大堂。

移动电子设备，人工智能，大数据，云计算和许多新兴事物正在迅速改变我们的社会和生活，但海量数据的产生与传输也对数据的存储与处理带来了巨大压力。由于现有的电子设备与计算构架已经接近其性能极限，研发新式计算设备势在必行。新兴的非易失性存储器与神经元计算设备被视为应对数据危机的重要途径。前者打破数据存储与内存之间的界限，极大简化计算设备的存储体系，而后者将从根本上对现行计算体系进行革新，突破传统冯诺伊曼体系从而实现数据存储与处理的统一。

本次研讨会将集中讨论相变存储材料、阻变氧化物、自旋电子材料、二维材料等先进电子材料的电子性质及其在数据存储、内存芯片、类脑运算等方面的应用与发展，内容涵盖实验测量、理论计算、器件设计、工业化发展等多个层面。会议邀请了来自中国科学院、清华大学、复旦大学、南京大学、西安交通大学、中山大学、吉林大学、华中科技大学、北京航天航空大学、深圳大学、亚琛工业大学、明斯特大学、汉堡大学、于利希研究中心、保罗-德鲁德固体电子研究所、莱布尼兹表面工程研究所、莱布尼兹德雷斯顿固态与材料研究所的33位专家学者为大家带来高质量的学术报告。会务组诚挚邀请您参加此次学术盛宴！

详情请见：http://mse-en.xjtu.edu.cn/sgmat/

简略日程：