何成老师在氮化铝纳米片晶的单层二硫化钼的可调谐电子和磁性能模拟研究方面取得最新进展。2015年9月21日，何成老师在PHYS CHEM CHEM PHYS期刊上（国际知名物理化学类期刊，影响因子:4.493）发表了题为“Tunable electronic and magnetic properties of monolayer MoS2 on decorated AlN nanosheets: a van der Waals density functional study”的研究论文。

二硫化钼（MOS2），具有六方晶系晶体结构，由S-Mo-S的单层结构构成。这种独特的结构赋予了二硫化钼许多优良的热，电，光学，机械性质，同时还提供了足够的间层空间来嵌入外来分子和原子。因此它很有可能成为性能优异的逻辑器件。基于此，何成老师开展了本项研究。在本研究中，利用范德华力修正的密度泛函理论对氮化铝纳米片晶上单层二硫化钼的可调谐电子和磁性能进行了系统的研究。结果表明，AlN基板的表面微观结构和堆叠模式显著影响异质结构的电子和磁性能。此外，对单层的MoS2可以实现n型半导体到p型半导体的金属过渡且伴随有非磁性到磁性的转移。该项研究表明有效地控制加氢位置和叠加样式是一种有效改变单层二硫化钼的性质的方法。研究的结果为设计新型纳米自旋电子器件奠定了基础。

该研究得到了国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、教育部博士课题基金、中央高校科研基础专项资金和国家大学生创新与创业培训计划的支持。

附:http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2015/CP/C5CP02855H