一、研究领域或方向

相变存储材料与器件，存算一体芯片材料与器件

二、研究经历

2024.01-今，教授，西安交通大学bwin必赢材料创新设计研究中心

2021.09-2023.12，特聘研究员，西安交通大学bwin必赢材料创新设计研究中心

2019.12-2021.08，研究员，洪堡学者德国亚琛工业大学物理学系

2017.01-2018.01，访问博士生德国于利希研究中心电镜中心(Ernst Ruska-Centre,ER-C)

三、学术成果介绍

长期致力于研究相变存储材料，在相变材料制备、原子结构表征、器件逆向结构分析等方面积累了大量经验，在相变合金的结构性质与相变机理等方面取得了重要进展，包括研发出超低电阻漂移和电阻噪声的相变异质结合金构架（Science 2019，共同一作/排名第二）等。已发表学术论文17篇，其中在Science、ACS Nano、Chem Mater、Acta Mater、Nano Energy等期刊发表一作/共一/通讯论文12篇。在相变材料筛选、相变合金等材料制备与调控方面授权发明专利4项，实审3项。在国际相变存储年会、第2届国际新兴存储器研讨会、第11届微纳尺度材料性能国际研讨会等国际学术会议上获得最佳海报奖3次。

1. Keyuan Ding#, Jiang-Jing Wang# (equal contribution), Yuxing Zhou#, He Tian#, Lu Lu, Riccardo Mazzarello, Chun-Lin Jia, Wei Zhang*, Feng Rao*, Evan Ma*. Phase-change heterostructure enables ultralow noise and drift for memory operation, Science, 366, 210-215, 2019.

2. Xudong Wang#, Jieling Tan#, Chengqian Han#, Jiang-Jing Wang* (corresponding author), Lu Lu, Hongchu Du, Chun-Lin Jia, Volker.L. Deringer*, Jian Zhou, Wei Zhang*. Sub-Angstrom Characterization of the Structural Origin for High In-Plane Anisotropy in 2D GeS2, ACS Nano, 14, 4456-4462, 2020.

3. Jiang-Jing Wang#, Jun Wang#, Hongchu Du, Lu Lu, Peter C. Schmitz, Johannes Reindl, Antonio M. Mio, Chun-Lin Jia, Evan Ma, Riccardo Mazzarello, Matthias Wuttig, Wei Zhang*. Genesis and effects of swapping bi-layers in hexagonal GeSb2Te4, Chemistry of Materials, 30, 4770-4777, 2018.

4. Ting-Ting Jiang#, Xu-Dong Wang#, Jiang-Jing Wang*(corresponding author), Yu-Xing Zhou, Dan-Li Zhang, Lu Lu, Chun-Lin Jia, Matthias Wuttig, Riccardo Mazzarello, Wei Zhang*. In situ study of vacancy disordering in crystalline phase-change materials under electron beam irradiation, Acta Materialia, 187, 103-111, 2020.

5. Jiang-Jing Wang, Ider Ronneberger, Ling Zhou, Lu Lu, Volker L. Deringer, Baiyu Zhang, Lin Tian, Hongchu Du, Chun-Lin Jia, Xiaofeng Qian, Matthias Wuttig, Riccardo Mazzarello, Wei Zhang*. Unconventional two-dimensional germanium dichalcogenides, Nanoscale, 10, 7363-7368, 2018.